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多晶硅母合金掺杂原理

多晶硅母合金掺杂原理

铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究

因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律2024年12月29日直接掺杂是指将所需杂质单质按剂量直接加入到坩埚的多品硅中,这种方法适用于制备重掺杂的硅锭。母合金掺杂是指将杂质元素先制成硅的合金,如磷硅合金、硼硅合金,然【集成电路制造与封测】第二章硅片的制造，气相外延 2012年8月29日所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的2次方和10的3次方。采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金产品介绍合能阳光（中国）公司首先采用熔炼法和球磨成形法制备出了SiB母合金，并分别对母合金的物相、结构及形貌进行分析，研究发现球磨成形法为制备SiB母合金的最佳工艺。多晶硅溅射靶材用SiB母合金的制备研究学位万方数据知识

掺杂计算理论与实践百度文库

硅单晶P型掺杂剂：三族元素，主要有硼、铝、镓拉制电阻率低的硅单晶，一般用纯元素作掺杂剂拉制电阻率高的硅单晶则采用母合金作为掺杂剂2024年11月28日通过掺杂，能够实现诸如 PN 结、欧姆接触区以及电阻等多种重要器件的制作。在实际应用中，掺入的杂质通常来自 IIIA 族和 VA 族元素，这些元素的引入能够显著改变最详细的掺杂技术采用磷扩散源制备磷硅母合金CSDN博客2024年11月20日 2芯片的工作原理：芯片的基本组成元素即半导体PN结，一个由半导体材料硅作为基片，采用了不同的掺杂工艺，在硅中掺杂了其它元素，形成了P型半导体（掺杂硼）从沙子到芯片：芯片的原理和制造过程晶体管多晶硅硅晶圆 CN97公开了一种利用多晶硅铸造炉生产母合金的方法，该方法采用多晶硅铸造的方法，对硅料和掺杂剂依次进行抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却环节，来生产母合金硅一种硅片母合金的制备方法 X技术网

多晶硅掺杂作用百度文库

掺杂多晶硅的方法包括扩散、离子注入或LPCVD过程中的原位掺杂。这些掺杂方法的主要差异与晶粒结构方面的掺杂温度效应相关。温度越低，陷在多晶晶粒结构里的杂质量பைடு 通过将适当的掺杂元素引入到多晶硅或单晶硅中，可以有效地提高电池的吸收率和电荷分离效率，从而增强太阳能电池的性能。在半导体器件领域中，掺杂技术也是制备各种功能器件必不多晶硅和单晶硅的掺杂元素概述说明以及解释百度文库2022年9月26日根据杂质元素在与Si原子形成共价连接时是导致体系内电子的增加还是空穴的增加，可将掺杂杂质进一步细分为施主(donor，提供多余电子，又叫n型掺杂，如磷、砷、锑等)和受主(acceptor，提供多余空穴，又叫p型掺认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂知乎2013年1月21日母合金计算公式应掺母合金重量为M=W*C头/ K* C母—C头其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量C头—为头部对应的的杂质浓度C 母合金的计算方法道客巴巴

母合金掺杂及补掺装置的制作方法

2012年8月1日技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内 2024年11月20日从沙子到芯片：芯片的原理和制造过程,芯片,沙子,原理,晶体管,半导体,多晶硅,硅晶圆芯片的基本组成元素即半导体PN结，一个由半导体材料硅作为基片，采用了不同的掺从沙子到芯片：芯片的原理和制造过程晶体管多晶硅硅晶圆目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究 2023年3月29日 19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中，采用双温区水平炉，在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网

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因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律，本文研究结论主要如杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中直拉单晶硅的制备掺杂百度文库（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。（3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式掺杂，由于直拉单晶硅的制备掺杂百度文库《直拉单晶硅工艺技术（第二版）》是2017年8月化学工业出版社出版的图书，作者是郭宇。本书主要内容包括单晶炉的基本知识、直拉单晶炉、直拉单晶炉的热系统及热场、晶体生长控制器、原辅材料的准备、直拉单晶硅生长技术直拉单晶硅工艺技术（第二版）百度百科

一种P型硅母合金的制作方法与流程 X技术网

一种P型硅母合金的制作方法技术领域本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型硅母合金的制作方法。背景技术光伏行业中的母合金是指化学元素周期表第三主族或第五主族元素与硅按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。 (1)元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Qcm的重掺杂硅单晶。 (2)母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金( 直拉单晶硅的制备掺杂讲课讲稿百度文库2021年6月18日本发明涉及单晶炉技术领域，特别是涉及一种掺杂装置、母合金制备装置及方法。背景技术随着新能源技术的迅速发展，光伏电池的研发越来越受到人们的重视。硅棒是光伏电池中的重要组成部分。目前在生产硅棒一种掺杂装置、母合金制备装置及方法与流程（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH，直拉单晶硅的制备掺杂百度文库

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杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中使用 N 型母合金的主要是掺杂时发现低阻了，为了能够让产品电阻率达到使用要求,添加一些 N 型母合金。从原则上说,这是一种违规操作,硅棒尾部将会出现反翘,尾部电阻会比头部高母合金的计算方法百度文库2022年4月20日铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业界 P 型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在 0025% 左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决议，电阻率最优值什么是多晶硅溅射靶材靶材合金靶材溅射靶材2022年3月7日 12、合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc

直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置的制作方法

2010年7月28日母合金掺杂法把掺杂剂和多晶硅料制成母合金，根据母合金中掺杂剂的含量和目标电阻率的要求，计算母合金的用量；把母合金和多晶硅料同时放入石英坩埚中熔化。该方（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH，直拉单晶硅的制备掺杂百度文库2021年12月24日常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算：假设掺入方式是掺入中直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc2015年5月30日 2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究赵发展海潮和（中国科学院微电子研究所北京）摘要：利用LPCVD（ LPCVD原位掺杂多晶硅探究豆丁网

直拉单晶硅的制备掺杂豆丁网

2015年11月21日常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方 2022年2月16日并且，掺杂该种硅硼母合金制备的多晶硅靶材，较制备的多晶硅靶材具有产品出成率高，电阻率分布均匀等特点。362、本发明提供的溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法，一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法 X技术网母合金一般可以分为高温合金母合金、铝合金母合金、双相钢母合金、耐热钢母合金等材质。高温合金母合金是最常用的铸造母合金，主要用于制造飞机发动机叶片，燃料轮机耐热部件，涡轮高温合金母合金百度百科多晶硅的安装注意点 c 掺杂（确认与工艺单上一致） 3）籽晶与熔硅的熔接 a 温度的稳定（装料量越大，所需时间越长） b 籽晶的预热（减少籽晶与熔体的温度差，从而减少籽晶中产生的拉晶教程百度文库

一种硅片母合金的制备方法 X技术网

CN97公开了一种利用多晶硅铸造炉生产母合金的方法，该方法采用多晶硅铸造的方法，对硅料和掺杂剂依次进行抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却环节，来生产母合金硅（4）采用球磨成形法制备的SiB母合金进行掺杂试验，以获得目标电阻率为0010Ωcm的多晶硅锭靶材，结果表明采用含B量50%、球磨9h的SiB母合金进行掺杂制备的多晶硅锭较其他硅锭多晶硅溅射靶材用SiB母合金的制备研究学位万方数据知识 2010年4月7日一种 CZ 单晶硅生产中吊肩后掺硼磷母合金掺杂方法，该方法是：当单晶硅操作人员生产时，根据实际情况，找到对应的投料量、母合金电阻率、对应的极性、吊肩电阻率和 CZ单晶硅生产中吊肩后掺硼磷母合金掺杂方法 [发明专利]2021年10月11日直拉单晶硅的制备硅、锗等单晶制备，就是要实现由多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列；由不对称结构转变为对称结构。但这种转变不是直拉单晶硅的制备掺杂豆丁网

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2022年9月26日根据杂质元素在与Si原子形成共价连接时是导致体系内电子的增加还是空穴的增加，可将掺杂杂质进一步细分为施主(donor，提供多余电子，又叫n型掺杂，如磷、砷、锑等)和受主(acceptor，提供多余空穴，又叫p型掺 2013年1月21日母合金计算公式应掺母合金重量为M=W*C头/ K* C母—C头其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量C头—为头部对应的的杂质浓度C 母合金的计算方法道客巴巴2012年8月1日技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内母合金掺杂及补掺装置的制作方法2024年11月20日从沙子到芯片：芯片的原理和制造过程,芯片,沙子,原理,晶体管,半导体,多晶硅,硅晶圆芯片的基本组成元素即半导体PN结，一个由半导体材料硅作为基片，采用了不同的掺从沙子到芯片：芯片的原理和制造过程晶体管多晶硅硅晶圆

铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究

目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线 2023年3月29日 19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中，采用双温区水平炉，在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律，本文研究结论主要如铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中直拉单晶硅的制备掺杂百度文库

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（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。（3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式掺杂，由于《直拉单晶硅工艺技术（第二版）》是2017年8月化学工业出版社出版的图书，作者是郭宇。本书主要内容包括单晶炉的基本知识、直拉单晶炉、直拉单晶炉的热系统及热场、晶体生长控制器、原辅材料的准备、直拉单晶硅生长技术直拉单晶硅工艺技术（第二版）百度百科